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基于IGBT器件的三相逆變器驅動電路的設計與分析

2020年07月16日 15:07 ? 次閱讀

1、 前 言

電 力 電 子 變 換 技 術 的 發 展 , 使 得 各 種 各 樣 的 電 力 電 子 器 件 得 到 了 迅 速 的 發 展 。 20世 紀 80年 代 , 為 了 給 高 電 壓 應 用 環 境 提 供 一 種 高 輸 入 阻 抗 的 器 件 , 有 人 提 出 了 絕 緣 門 極 雙 極 型 晶 體 管 ( IGBT)。 在 IGBT中 , 用 一 個 MOS門 極 區 來 控 制 寬 基 區 的 高 電 壓 雙 極 型 晶 體 管 的 電 流 傳 輸 , 這 就 產 生 了 一 種 具 有 功 率 MOSFET的 高 輸 入 阻 抗 與 雙 極 型 器 件 優 越 通 態 特 性 相 結 合 的 非 常 誘 人 的 器 件 , 它 具 有 控 制 功 率 小 、 開 關 速 度 快 和 電 流 處 理 能 力 大 、 飽 和 壓 降 低 等 性 能 。 在 中 小 功 率 、 低 噪 音 和 高 性 能 的 電 源 、 逆 變 器 、 不 間 斷 電 源 ( UPS) 和 交 流 電 機 調 速 系 統 的 設 計 中 , 它 是 目 前 最 為 常 見 的 一 種 器 件 。

功 率 器 件 的 不 斷 發 展 , 使 得 其 驅 動 電 路 也 在 不 斷 地 發 展 , 相 繼 出 現 了 許 多 專 用 的 驅 動 集 成 電 路 。 IGBT的 觸 發 和 關 斷 要 求 給 其 柵 極 和 基 極 之 間 加 上 正 向 電 壓 和 負 向 電 壓 , 柵 極 電 壓 可 由 不 同 的 驅 動 電 路 產 生 。 當 選 擇 這 些 驅 動 電 路 時 , 必 須 基 于 以 下 的 參 數 來 進 行 : 器 件 關 斷 偏 置 的 要 求 、 柵 極 電 荷 的 要 求 、 耐 固 性 要 求 和 電 源 的 情 況 。 圖 1為 一 典 型 的 IGBT驅 動 電 路 原 理 示 意 圖 。 因 為 IGBT柵 極 ? 發 射 極 阻 抗 大 , 故 可 使 用MOSFET驅 動 技 術 進 行 觸 發 , 不 過 由 于 IGBT的 輸 入 電 容 較 MOSFET為 大 , 故 IGBT的 關 斷 偏 壓 應 該 比 許 多 MOSFET驅 動 電 路 提 供 的 偏 壓 更 高 。

基于IGBT器件的三相逆變器驅動電路的設計與分析

對 IGBT驅 動 電 路 的 一 般 要 求:

1) 柵 極 驅 動 電 壓 IGBT開 通 時 , 正 向 柵 極 電 壓 的 值 應 該 足 夠 令 IGBT產 生 完 全 飽 和 , 并 使 通 態 損 耗 減 至 最 小 , 同 時 也 應 限 制 短 路 電 流 和 它 所 帶 來 的 功 率 應 力 。 在 任 何 情 況 下 , 開 通 時 的 柵 極 驅 動 電 壓 , 應 該 在 12~ 20 V之 間 。 當 柵 極 電 壓 為 零 時 , IGBT處 于 斷 態 。 但 是 , 為 了 保 證 IGBT在 集 電 極 , 發 射 極 電 壓 上 出 現 dv/dt噪 聲 時 仍 保 持 關 斷 , 必 須 在 柵 極 上 施 加 一 個 反 向 關 斷 偏 壓 , 采 用 反 向 偏 壓 還 減 少 了 關 斷 損 耗 。 反 向 偏 壓 應 該 在 - 5~ - 15 V之 間 。

2) 串 聯 柵 極 電 阻 ( Rg) 選 擇 適 當 的 柵 極 串 聯 電 阻 對 IGBT柵 極 驅 動 相 當 重 要 。 IGBT的 開 通 和 關 斷 是 通 過 柵 極 電 路 的 充 放 電 來 實 現 的 , 因 此 柵 極 電 阻 值 將 對 IGBT的 動 態 特 性 產 生 極 大 的 影 響 。 數 值 較 小 的 電 阻 使 柵 極 電 容 的 充 放 電 較 快 , 從 而 減 小 開 關 時 間 和 開 關 損 耗 。 所 以 , 較 小 的 柵 極 電 阻 增 強 了 器 件 工 作 的 耐 固 性 ( 可 避 免 dv/dt帶 來 的 誤 導 通 ) , 但 與 此 同 時 , 它 只 能 承 受 較 小 的 柵 極 噪 聲 , 并 可 能 導 致 柵 極 - 發 射 極 電 容 和 柵 極 驅 動 導 線 的 寄 生 電 感 產 生 振 蕩 。

3) 柵 極 驅 動 功 率 IGBT要 消 耗 來 自 柵 極 電 源 的 功 率 , 其 功 率 受 柵 極 驅 動 負 、 正 偏 置 電 壓 的 差 值 Δ UGE、 柵 極 總 電 荷 QG和 工 作 頻 率 fs的 影 響 。 電 源 的 最 大 峰 值 電 流 IGPK為 :

在 本 文 中 , 我 們 將 對 幾 種 最 新 的 用 于 IGBT驅 動 的 集 成 電 路 做 一 個 詳 細 的 介 紹 , 討 論 其 使 用 方 法 和 優 缺 點 及 使 用 過 程 中 應 注 意 的 問 題 。

2、 幾 種 用 于 IGBT驅 動 的 集 成 芯 片

2. 1 TLP250( TOSHIBA公 司 生 產 )

在 一 般 較 低 性 能 的 三 相 電 壓 源 逆 變 器 中 , 各 種 與 電 流 相 關 的 性 能 控 制 , 通 過 檢 測 直 流 母 線 上 流 入 逆 變 橋 的 直 流 電 流 即 可 , 如 變 頻 器 中 的 自 動 轉 矩 補 償 、 轉 差 率 補 償 等 。 同 時 , 這 一 檢 測 結 果 也 可 以 用 來 完 成 對 逆 變 單 元 中 IGBT實 現 過 流 保 護 等 功 能 。 因 此 在 這 種 逆 變 器 中 , 對 IGBT驅 動 電 路 的 要 求 相 對 比 較 簡 單 , 成 本 也 比 較 低 。 這 種 類 型 的 驅 動 芯 片 主 要 有 東 芝 公 司 生 產 的 TLP250, 夏 普 公 司 生 產 的 PC923等 等 。 這 里 主 要 針 對 TLP250做 一 介 紹 。

TLP250包 含 一 個 GaAlAs光 發 射 二 極 管 和 一 個 集 成 光 探 測 器 , 8腳 雙 列 封 裝 結 構 。 適 合 于 IGBT或 電 力 MOSFET柵 極 驅 動 電 路 。 圖 2為 TLP250的 內 部 結 構 簡 圖 , 表 1給 出 了 其 工 作 時 的 真 值 表 。

TLP250的 典 型 特 征 如 下 :

1) 輸 入 閾 值 電 流 ( IF) : 5 mA( 最 大 ) ;

2) 電 源 電 流 ( ICC) : 11 mA( 最 大 ) ;

3) 電 源 電 壓 ( VCC) : 10~ 35 V;

4) 輸 出 電 流 ( IO) : ± 0.5 A( 最 小 ) ;

5) 開 關 時 間 ( tPLH /tPHL) : 0.5 μ s( 最 大 ) ;

6) 隔 離 電 壓 : 2 500 Vpms( 最 小 ) 。

表 2給 出 了 TLP250的 開 關 特 性 , 表 3給 出 了 TLP250的 推 薦 工 作 條 件 。

注 : 使 用 TLP250時 應 在 管 腳 8和 5間 連 接 一 個 0.1 μ F的 陶 瓷 電 容 來 穩 定 高 增 益 線 性 放 大 器 的 工 作 , 提 供 的 旁 路 作 用 失 效 會 損 壞 開 關 性 能 , 電 容 和 光 耦 之 間 的 引 線 長 度 不 應 超 過 1 cm。

圖 3和 圖 4給 出 了 TLP250的 兩 種 典 型 的 應 用 電 路 。

在 圖 4中 , TR1和 TR2的 選 取 與 用 于 IGBT驅 動 的 柵 極 電 阻 有 直 接 的 關 系 , 例 如 , 電 源 電 壓 為 24 V時 , TR1和 TR2的 Icmax≥ 24/Rg。

圖 5給 出 了 TLP250驅 動 IGBT時 , 1 200 V/200 A的 IGBT上 電 流 的 實 驗 波 形 ( 50 A/10 μ s) 。 可 以 看 出 , 由 于 TLP250不 具 備 過 流 保 護 功 能 , 當 IGBT過 流 時 , 通 過 控 制 信 號 關 斷 IGBT, IGBT中 電 流 的 下 降 很 陡 , 且 有 一 個 反 向 的 沖 擊 。 這 將 會 產 生 很 大 的 di/dt和 開 關 損 耗 , 而 且 對 控 制 電 路 的 過 流 保 護 功 能 要 求 很 高 。

TLP250使 用 特 點 :

1) TLP250輸 出 電 流 較 小 , 對 較 大 功 率 IGBT實 施 驅 動 時 , 需 要 外 加 功 率 放 大 電 路 。

2) 由 于 流 過 IGBT的 電 流 是 通 過 其 它 電 路 檢 測 來 完 成 的 , 而 且 僅 僅 檢 測 流 過 IGBT的 電 流 , 這 就 有 可 能 對 于 IGBT的 使 用 效 率 產 生 一 定 的 影 響 , 比 如 IGBT在 安 全 工 作 區 時 , 有 時 出 現 的 提 前 保 護 等 。

3) 要 求 控 制 電 路 和 檢 測 電 路 對 于 電 流 信 號 的 響 應 要 快 , 一 般 由 過 電 流 發 生 到 IGBT可 靠 關 斷 應 在 10 μ s以 內 完 成 。

4) 當 過 電 流 發 生 時 , TLP250得 到 控 制 器 發 出 的 關 斷 信 號 , 對 IGBT的 柵 極 施 加 一 負 電 壓 , 使 IGBT硬 關 斷 。 這 種 主 電 路 的 dv/dt比 正 常 開 關 狀 態 下 大 了 許 多 , 造 成 了 施 加 于 IGBT兩 端 的 電 壓 升 高 很 多 , 有 時 就 可 能 造 成 IGBT的 擊 穿 。

2.2 EXB8..Series( FUJI ELECTRIC公 司 生 產 )

隨 著 有 些 電 氣 設 備 對 三 相 逆 變 器 輸 出 性 能 要 求 的 提 高 及 逆 變 器 本 身 的 原 因 , 在 現 有 的 許 多 逆 變 器 中 , 把 逆 變 單 元 IGBT的 驅 動 與 保 護 和 主 電 路 電 流 的 檢 測 分 別 由 不 同 的 電 路 來 完 成 。 這 種 驅 動 方 式 既 提 高 了 逆 變 器 的 性 能 , 又 提 高 了 IGBT的 工 作 效 率 , 使 IGBT更 好 地 在 安 全 工 作 區 工 作 。 這 類 芯 片 有 富 士 公 司 的 EXB8..Series、 夏 普 公 司 的 PC929等 。 在 這 里 , 我 們 主 要 針 對 EXB8..Series做 一 介 紹 。

EXB8..Series集 成 芯 片 是 一 種 專 用 于 IGBT的 集 驅 動 、 保 護 等 功 能 于 一 體 的 復 合 集 成 電 路 。 廣 泛 用 于 逆 變 器 和 電 機 驅 動 用 變 頻 器 、 伺 服 電 機 驅 動 、 UPS、 感 應 加 熱 和 電 焊 設 備 等 工 業 領 域 。 具 有 以 下 的 特 點 :

1) 不 同 的 系 列 ( 標 準 系 列 可 用 于 達 到 10 kHz開 關 頻 率 工 作 的 IGBT, 高 速 系 列 可 用 于 達 到 40 kHz開 關 頻 率 工 作 的 IGBT) 。

2) 內 置 的 光 耦 可 隔 離 高 達 2 500 V/min的 電 壓 。

3) 單 電 源 的 供 電 電 壓 使 其 應 用 起 來 更 為 方 便 。

4) 內 置 的 過 流 保 護 功 能 使 得 IGBT能 夠 更 加 安全 地 工 作 。

5) 具 有 過 流 檢 測 輸 出 信 號 。

6) 單 列 直 插 式 封 裝 使 得 其 具 有 高 密 度 的 安 裝 方 式 。

常 用 的 EXB8..Series 主 要 有 : 標 準 系 列 的 EXB850和 EXB851, 高 速 系 列 的 EXB840和 EXB841。 其 主 要 應 用 場 合 如 表 4所 示 。

注 :

1) 標 準 系 列 : 驅 動 電 路 中 的 信 號 延 遲 ≤ 4 μ s

2) 高 速 系 列 : 驅 動 電 路 中 的 信 號 延 遲 ≤ 1.5 μ s

圖 6給 出 了 EXB8..Series的 功 能 方 框 圖 。

表 5給 出 了 EXB8..Series的 電 氣 特 性 。

表 6給 出 了 EXB8..Series工 作 時 的 推 薦 工 作 條 件 。 表 6 EXB8..Series工 作 時 的 推 薦 工 作 條 件

圖 7給 出 了 EXB8..Series的 典 型 應 用 電 路 。

EXB8..Series使 用 不 同 的 型 號 , 可 以 達 到 驅 動 電 流 高 達 400 A, 電 壓 高 達 1 200 V的 各 種 型 號 的 IGBT。 由 于 驅 動 電 路 的 信 號 延 遲 時 間 分 為 兩 種 : 標 準 型 ( EXB850、 EXB851) ≤ 4 μ s, 高 速 型 ( EXB840、 EXB841) ≤ 1 μ s, 所 以 標 準 型 的 IC適 用 于 頻 率 高 達 10 kHz的 開 關 操 作 , 而 高 速 型 的 IC適 用 于 頻 率 高 達 40 kHz的 開 關 操 作 。 在 應 用 電 路 的 設 計 中 , 應 注 意 以 下 幾 個 方 面 的 問 題 :

— — IGBT柵 ? 射 極 驅 動 電 路 接 線 必 須 小 于 1 m;

— — IGBT柵 ? 射 極 驅 動 電 路 接 線 應 為 雙 絞 線 ;

— — 如 想 在 IGBT集 電 極 產 生 大 的 電 壓 尖 脈 沖 , 那 么 增 加 IGBT柵 極 串 聯 電 阻 ( Rg) 即 可 ;

— — 應 用 電 路 中 的 電 容 C1和 C2取 值 相 同 , 對 于 EXB850和 EXB840來 說 , 取 值 為 33 μ F, 對 于 EXB851和

EXB841來 說 , 取 值 為 47 μ F。 該 電 容 用 來 吸 收 由 電 源 接 線 阻 抗 而 引 起 的 供 電 電 壓 變 化 。 它 不 是 電 源 濾 波 器 電 容 。

EXB8..Series的 使 用 特 點 :

1) EXB8..Series的 驅 動 芯 片 是 通 過 檢 測 IGBT在 導 通 過 程 中 的 飽 和 壓 降 Uce來 實 施 對 IGBT的 過 電 流 保 護 的 。 對 于 IGBT的 過 電 流 處 理 完 全 由 驅 動 芯 片 自 身 完 成 , 對 于 電 機 驅 動 用 的 三 相 逆 變 器 實 現 無 跳 閘 控 制 有 較 大 的 幫 助 。

2) EXB8..Series的 驅 動 芯 片 對 IGBT過 電 流 保 護 的 處 理 采 用 了 軟 關 斷 方 式 , 因 此 主 電 路 的 dv/dt比 硬 關 斷 時 小 了 許 多 , 這 對 IGBT的 使 用 較 為 有 利 , 是 值 得 重 視 的 一 個 優 點 。

3) EXB8..Series驅 動 芯 片 內 集 成 了 功 率 放 大 電 路 , 這 在 一 定 程 度 上 提 高 了 驅 動 電 路 的 抗 干 擾 能 力 。

4) EXB8..Series的 驅 動 芯 片 最 大 只 能 驅 動 1 200V /300 A的 IGBT, 并 且 它 本 身 并 不 提 倡 外 加 功 率 放 大 電 路 , 另 外 , 從 圖 7中 可 以 看 出 , 該 類 芯 片 為 單 電 源 供 電 , IGBT的 關 斷 負 電 壓 信 號 是 由 芯 片 內 部 產 生 的- 5 V信 號 , 容 易 受 到 外 部 的 干 擾 。 因 此 對 于 300 A以 上 的 IGBT或 者 IGBT并 聯 時 , 就 需 要 考 慮 別 的 驅 動 芯 片 , 比 如 三 菱 公 司 的 M57962L等 。

圖 8給 出 了 EXB841驅 動 IGBT時 , 過 電 流 情 況 下 的 實 驗 波 形 。 可 以 看 出 , 正 如 前 面 介 紹 過 的 , 由 于 EXB8..Series芯 片 內 部 具 備 過 流 保 護 功 能 , 當 IGBT過 流 時 , 采 用 了 軟 關 斷 方 式 關 斷 IGBT, 所 以 IGBT中 電 流 是 一 個 較 緩 的 斜 坡 下 降 , 這 樣 一 來 , IGBT關 斷 時 的 di/dt明 顯 減 少 , 這 在 一 定 程 度 上 減 小 了 對 控 制 電 路 的 過 流 保 護 性 能 的 要 求 。

2. 3 M579..Series( MITSUBISHI公 司 生 產 )

M579..Series是 日 本 三 菱 公 司 為 IGBT驅 動 提 供 的 一 種 IC系 列 , 表 7給 出 了 這 種 系 列 的 幾 種 芯 片 的 基 本 應 用 特 性 ( 其 中 有 * 者 為 芯 片 內 部 含 有 Booster電 路 ) 。

在 M579..Series中 , 以 M57962L為 例 做 出 一 般 的 解 釋 。 隨 著 逆 變 器 功 率 的 增 大 和 結 構 的 復 雜 , 驅 動 信 號 的 抗 干 擾 能 力 顯 得 尤 為 重 要 , 比 較 有 效 的 辦 法 就 是 提 高 驅 動 信 號 關 斷 IGBT時 的 負 電 壓 , M57962L的 負 電 源 是 外 加 的 ( 這 點 和 EXB8..Series不 同 ) , 所 以 實 現 起 來 比 較 方 便 。 它 的 功 能 框 圖 和 圖 6所 示 的 EXB8..Series功 能 框 圖 極 為 類 似 , 在 此 不 再 贅 述 。 圖 9給 出 了 M57962L在 驅 動 大 功 率 IGBT模 塊 時 的 典 型 電 路 圖 。 在 這 種 電 路 中 , NPN和 PNP構 成 的 電 壓 提 升 電 路 選 用 快 速 晶 體 管 ( tf≤ 200 ns) , 并 且 要 有 足 夠 的 電 流 增 益 以 承 載 需 要 的 電 流 。

在 使 用 M57962L驅 動 大 功 率 IGBT模 塊 時 , 應 注 意 以 下 三 個 方 面 的 問 題 :

1) 驅 動 芯 片 的 最 大 輸 出 電 流 峰 值 受 柵 極 電 阻 Rg的 最 小 值 限 制 , 例 如 , 對 于 M57962L來 說 , Rg的 允 許 值 在 5 Ω 左 右 , 這 個 值 對 于 大 功 率 的 IGBT來 說 高 了 一 些 , 且 當 Rg較 高 時 , 會 引 起 IGBT的 開 關 上 升 時 間 td(on)、 下 降 時 間 td(off)以 及 開 關 損 耗 的 增 大 , 在 較 高 開 關 頻 率 ( 5 kHz以 上 ) 應 用 時 , 這 些 附 加 損 耗 是 不 可 接 受 的 。

2) 即 便 是 這 些 附 加 損 耗 和 較 慢 的 開 關 時 間 可 以 被 接 受 , 驅 動 電 路 的 功 耗 也 必 須 考 慮 , 當 開 關 頻 率 高 到 一 定 程 度 時 ( 高 于 14 kHz) , 會 引 起 驅 動 芯 片 過 熱 。

3) 驅 動 電 路 緩 慢 的 關 斷 會 使 大 功 率 IGBT模 塊 的 開 關 效 率 降 低 , 這 是 因 為 大 功 率 IGBT模 塊 的 柵 極 寄 生 電 容 相 對 比 較 大 , 而 驅 動 電 路 的 輸 出 阻 抗 不 夠 低 。 還 有 , 驅 動 電 路 緩 慢 的 關 斷 還 會 使 大 功 率 IGBT模 塊 需 要 較 大 的 吸 收 電 容 。

以 上 這 三 種 限 制 可 能 會 產 生 嚴 重 的 后 果 , 但 通 過附 加 的 Booster電 路 都 可 以 加 以 克 服 , 如 圖 9所 示 。

從 圖 10( a) 可 以 看 出 , 在 IGBT過 流 信 號 輸 出 以 后 , 門 極 電 壓 會 以 一 個 緩 慢 的 斜 率 下 降 。 圖 10( b) 及 圖 10( c) 給 出 了 IGBT短 路 時 的 軟 關 斷 過 程 ( 集 電 極 - 發 射 極 之 間 的 電 壓 uCE和 集 電 極 電 流 iC的 軟 關 斷 波 形 ) 。

3、 結 語

隨 著 電 力 電 子 技 術 的 快 速 發 展 , 三 相 逆 變 器 的 應 用 變 得 非 常 廣 泛 。 近 年 來 , 隨 著 IGBT制 造 技 術 的 提 高 , 相 繼 出 現 了 電 壓 等 級 越 來 越 高 、 額 定 功 率 越 來 越 大 的 單 管 、 兩 單 元 IGBT模 塊 及 六 單 元 IGBT模 塊 , 同 時 性 能 價 格 比 的 提 高 使 得 IGBT在 三 相 逆 變 器 的 設 計 中 占 有 很 大 的 比 重 , 成 為 許 多 設 計 人 員 首 選 的 功 率 器 件 。 隨 之 而 來 的 是 IGBT的 驅 動 芯 片 也 得 到 了 很 大 的 發 展 , 設 計 人 員 、 生 產 廠 家 都 給 予 了 高 度 重 視 , 小 型 化 、 多 功 能 集 成 化 成 為 人 們 不 斷 追 求 的 目 標 。 相 信 隨 著 制 造 技 術 的 發 展 , 將 會 研 制 出 更 多 更 好 的 IGBT驅 動 芯 片 , 并 得 到 廣 泛 的 應 用 。

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  一般說明   LM2409是一種集成的高壓CRT驅動電路設計用于彩色監視器應用。集成電路包含三個高輸入阻抗,寬...
發表于 2020-07-03 09:25? 48次閱讀
LM2409一種集成的高壓CRT驅動電路

苦難與輝煌 集成電路國產化之路(下)(SWOT分...

國產替代是個好機會。危機是資金投入特別大回報周期非常長,是集成電路行業最大的特點,可以堅持到最后企業....
發表于 2020-07-02 17:58? 2444次閱讀
苦難與輝煌 集成電路國產化之路(下)(SWOT分...

LM2409集成的高壓CRT驅動電路設計用于彩色監視器應用

  一般說明  LM2409是一種集成的高壓CRT驅動電路設計用于彩色監視器應用。集成電路包含三個高輸入阻抗,寬帶...
發表于 2020-07-02 16:39? 53次閱讀
LM2409集成的高壓CRT驅動電路設計用于彩色監視器應用

LM2438是一個集成的高壓陰極射線管驅動電路

  一般說明  LM2438是一個集成的高壓陰極射線管驅動電路設計用于彩色監視器應用。該集成電路包含三個高輸入阻抗...
發表于 2020-07-02 09:42? 218次閱讀
LM2438是一個集成的高壓陰極射線管驅動電路

高Tg的PCB有怎么樣的性能優勢和應用說明

眾所周知,當溫度上升到某個區域時,基礎材料(聚合物或玻璃)正從玻璃態,固態,剛性狀態轉變為橡膠態,因....
發表于 2020-06-27 11:05? 482次閱讀
高Tg的PCB有怎么樣的性能優勢和應用說明

高能效的主驅逆變器方案有助解決里程焦慮,提高電動...

3相逆變級的主要器件是逆變器里的每一相里的半橋開關里的高邊和低邊開關以及相應的高隔離電壓門極驅動器,....
發表于 2020-06-24 15:58? 814次閱讀
高能效的主驅逆變器方案有助解決里程焦慮,提高電動...

測試IGBT的簡單方法

一些測試IGBT的簡單方法
發表于 2020-06-19 10:19? 373次閱讀
測試IGBT的簡單方法

苦難與輝煌 集成電路國產化之路(上)

我金航標老宋分為四個部分來講。第一部分是集成電路的國際大背景和分工。美國算是一塊,歐、日、韓包括我們....
發表于 2020-06-17 15:52? 4185次閱讀
苦難與輝煌 集成電路國產化之路(上)

I2C轉3路10Bit PWM輸出芯片GP770...

特性 I2C輸入控制,3路10bit PWM信號輸出,1位地址硬件地址位,支持兩路GP7701并聯。....
發表于 2020-06-15 08:09? 1202次閱讀
I2C轉3路10Bit PWM輸出芯片GP770...

在西方國家的限芯下我國汽車行業的芯片到底缺少多少

近幾年,受制于西方國家對華芯片產業的各項限制,我國芯片行業所面臨的局勢日益嚴峻。實際上,美國對華的芯....
發表于 2020-06-13 10:33? 1305次閱讀
在西方國家的限芯下我國汽車行業的芯片到底缺少多少

中國逆變器出貨量占全球65% ,歐美是光伏逆變器...

光伏逆變器(PV inverter或solar inverter)可以將光伏(PV)太陽能板產生的可....
發表于 2020-06-12 17:10? 621次閱讀
中國逆變器出貨量占全球65% ,歐美是光伏逆變器...

Weco推新鋰電池解決方案,5K3 LV/HV電...

總部位于迪拜的Weco推出了一種新的鋰電池解決方案,該解決方案可以作為低壓存儲系統并行運行,也可以作....
發表于 2020-06-10 15:08? 404次閱讀
Weco推新鋰電池解決方案,5K3 LV/HV電...

用于電動助力轉向系統中關鍵器件推薦

由于這眾多優點,EPS系統在當今的汽車中越來越普及。這些系統通常用3相無刷直流(BLDC)電機代替液....
發表于 2020-06-09 16:37? 502次閱讀
用于電動助力轉向系統中關鍵器件推薦

什么是死區? DSP里的PWM死區

死區時間是PWM輸出時,為了使H橋或半H橋的上下管不會因為開關速度問題發生同時導通而設置的一個保護時....
發表于 2020-06-08 16:01? 541次閱讀
什么是死區? DSP里的PWM死區

維信諾將發布InV see屏下攝像解決方案,帶來...

根據維信諾官方微信公眾號消息,維信諾將發布InV see屏下攝像解決方案,這是全球首個達到量產應用級....
發表于 2020-06-08 14:44? 1546次閱讀
維信諾將發布InV see屏下攝像解決方案,帶來...

MOSFET驅動電路與EMI的資料介紹

功率MOSFET通常由PWM或其它模式的控制器IC內部的驅動源來驅動,為了提高關斷的速度,實現快速的....
發表于 2020-06-07 12:01? 1187次閱讀
MOSFET驅動電路與EMI的資料介紹

什么是IGBT?國內IGBT企業崛起

簡單講,是一個非通即斷的開關,IGBT沒有放大電壓的功能,導通時可以看做導線,斷開時當做開路。IGB....
發表于 2020-06-05 11:33? 1315次閱讀
什么是IGBT?國內IGBT企業崛起

跟蹤支架迎來發展“春天”,中信博如何一躍成為國內...

光伏支架分為兩種,一為固定支架,二為跟蹤支架。一句話概括兩者的差別,就在于能否自動“追逐”太陽。固定....
發表于 2020-06-04 16:25? 556次閱讀
跟蹤支架迎來發展“春天”,中信博如何一躍成為國內...

安森美半導體:不斷推進與車企的各種合作項目

SiC用于電動汽車的三個應用包括:牽引逆變器,車載充電器和DC-DC轉換器。SiC可更高效地轉換功率....
發表于 2020-06-02 16:12? 720次閱讀
安森美半導體:不斷推進與車企的各種合作項目

逆變器中驅動隔離變壓器的作用是什么

逆變器后側安裝隔離變壓器是逆變交流電源的常規作法,例如大容量的UPS在逆變器輸出側一般都安裝有隔離變....
發表于 2020-05-25 15:31? 369次閱讀
逆變器中驅動隔離變壓器的作用是什么

不間斷電源維修的常見故障及技巧

UPS是針對中國電網環境和網絡監控及網絡系統、醫療系統等對電源的可靠性要求,克服中、大型計算機網絡系....
發表于 2020-05-18 14:38? 1325次閱讀
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SYE-三相LED驅動電路

發表于 2020-05-18 09:17? 163次閱讀
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固德威儲能逆變器市場份額占比超15%,看好光伏+...

近期,世界知名的能源情報機構Wood Mackenzie發布了《2019年全球光伏逆變器市場份額和出....
發表于 2020-05-17 10:02? 542次閱讀
固德威儲能逆變器市場份額占比超15%,看好光伏+...

多合一動力總成組合架構和系統的特點性能和應用研究

多合一動力總成組合架構多合一動力總成系統整合了諸如車載充電器(OBC)、高電壓DC/DC(HV DC....
發表于 2020-05-14 17:16? 581次閱讀
多合一動力總成組合架構和系統的特點性能和應用研究
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