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學子專區—ADALM2000實驗:將BJT連接為二極管

2020年03月25日 11:01 ? 次閱讀

作者:ADI公司 | Doug Mercer,顧問研究員;Antoniu Miclaus,系統應用工程師

簡單的NPN二極管連接

目標:

本次實驗的目的是研究將雙極性結型晶體管(BJT)連接為二極管時的正向/反向電流與電壓特性。

材料:

  • ADALM2000主動學習模塊
  • 無焊面包板
  • 一個1 kΩ電阻(或其他類似值)
  • 一個小信號NPN晶體管(2N3904)

說明:

NPN晶體管的發射極-基極結的電流與電壓特性可以使用ADALM2000實驗室硬件和以下連接來測量。使用面包板,將波形發生器W1連接到電阻R1的一端。將示波器輸入2+也連接到這里。將Q1的基極和集電極連接到R1的另一端,如圖所示。Q1的發射極接地。將示波器輸入2-和示波器輸入1+連接到Q1的基極-集電極節點。示波器輸入1-也可以選擇接地。

學子專區—ADALM2000實驗:將BJT連接為二極管

圖1.NPN二極管連接圖。

硬件設置:

波形發生器配置為100 Hz三角波,峰峰值幅度為6 V,偏移為0 V。示波器的差分通道2(2+、2-)用于測量電阻(和晶體管)中的電流。連接示波器通道1 (1+)用于測量晶體管兩端的電壓。流過晶體管的電流是1+和1-之間的電壓差除以電阻值(1 kΩ)的結果。

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圖2.NPN二極管面包板電路

步驟:

將捕獲的數據加載到電子表格中,計算電流。繪制電流與晶體管兩端電壓(VBE)的曲線。沒有反向流動電流。在正向導通區域,電壓-電流呈對數關系。如果在對數坐標系中繪制電流曲線,結果應為直線。

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圖3.NPN二極管XY曲線。

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圖4.NPN二極管波形。

反向擊穿特性

目標:

本次實驗的目標是研究BJT連接為二極管時發射極-基極結的反向擊穿電壓特性。

材料:

  • 一個100 Ω電阻
  • 一個小信號PNP晶體管(2N3906)

說明:

使用面包板,將波形發生器輸出連接到100 Ω串聯電阻R1的一端以及Q1的基極和集電極,如圖2所示。發射極連接到-5 V固定電源。將示波器通道1 (1+) 連接到基極-集電極節點,1-連接到發射極節點。示波器通道2用于測量R1兩端的電壓,從而測得通過Q1的電流。

之所以選擇PNP 2N3906而不是NPN 2N3904,是因為PNP發射極-基極擊穿電壓小于ADALM2000可產生的+10 V最大值,而NPN的擊穿電壓可能會高于10V。

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圖5.PNP發射極-基極反向擊穿配置。

硬件設置:

波形發生器配置為100 Hz三角波,峰峰值幅度為10 V,偏移為0 V。示波器通道1 (1+)用于測量電阻兩端的電壓。其設置應配置為將通道2跨接到電阻R1的兩端(2+、2-)。兩個通道均應設置為每格1 V。流過晶體管的電流是2+和2-之間的電壓差除以電阻值(100 Ω)的結果。

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圖6.PNP發射極面包板電路。

步驟:

實驗室硬件電源將可用的最大電壓限制為小于10V。許多晶體管的發射極-基極反向擊穿電壓都大于此電壓。在圖6所示的配置中,可以測量0 V至10 V(W1峰峰值擺幅)之間的電壓。

學子專區—ADALM2000實驗:將BJT連接為二極管

圖7.PNP發射極波形。

捕獲示波器波形并將其導出到電子表格中。對于本示例中使用的PNP晶體管2N3906,發射極-基極結擊穿電壓約為8.5V。

降低二極管的有效正向電壓

目標:

本次實驗的目標是研究一種正向電壓特性小于BJT連接作為二極管時的電路配置。

材料:

  • 一個1 kΩ電阻
  • 一個150 kΩ電阻(或100 kΩ與47 kΩ電阻串聯)
  • 一個小信號NPN晶體管(2N3904)
  • 一個小信號PNP晶體管(2N3906)

說明:

連接面包板,將波形發生器W1連接到串聯電阻R1的一端以及NPN Q1的集電極和PNP Q2的基極,如圖8所示。Q1的發射極接地。Q2的集電極連接到Vn (5 V)。電阻R2的一端連接到Vp (5 V)。R2的另一端連接到Q1的基極和Q2的發射極。示波器通道2 (2+)的單端輸入連接到Q1的集電極。

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圖8.降低二極管的有效正向壓降所需的配置圖。

硬件設置:

波形發生器配置為100 Hz三角波,峰峰值幅度為8 V,偏移為2 V。示波器通道2 (2+)用于測量電阻兩端的電壓。流過晶體管的電流是示波器輸入1+和1-之間的電壓差除以電阻值(1kΩ)的結果。

步驟:

現在,二極管的導通電壓約為100 mV,而第一個示例中的簡單二極管連接方案為650 mV。繪制W1掃頻時Q1的VBE曲線。

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圖9.降低二極管有效正向壓降的面包板電路。

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圖10.降低二極管有效正向壓降的波形。

VBE乘法器電路

目標:

我們已探討了一種能有效降低VBE的方法,本次實驗的目的則是增大VBE,并展示與單個BJT連接為二極管的方案相比更大的正向電壓特性。

材料:

  • 兩個2.2 kΩ電阻
  • 一個1 kΩ電阻
  • 一個5 kΩ可變電阻、電位計
  • 一個小信號NPN晶體管(2N3904)

說明:

連接面包板,將波形發生器W1連接到電阻R1的一端,如圖11所示。Q1的發射極接地。電阻R2、R3和R4構成分壓器,電位計R3的滑動端連接到Q1的基極。Q1的集電極連接到R1的另一端和R2處的分壓器頂端。示波器通道2 (2+)連接到Q1的集電極。

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圖11.VBE乘法器配置。

硬件設置:

波形發生器配置為100 Hz三角波,峰峰值幅度為4 V,偏移為2 V。示波器通道單端輸入2+用于測量晶體管兩端的電壓。其設置應配置為通道1+連接發生器W1以顯示輸出,通道2+連接Q1的集電極。流過晶體管的電流是示波器輸入1+和示波器輸入2+測得的W1兩端的電壓差除以電阻值(1 kΩ)的結果。

步驟:

開始時,將電位計R3設置為其范圍的中間值,Q2集電極處的電壓應大約為VBE的2倍。將R3設置為最小值時,集電極處的電壓應為VBE的9/2(或4.5)倍。將R3設置為最大值時,集電極處的電壓應為VBE的9/7倍。

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圖12.VBE乘法器面包板電路。

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圖13.VBE乘法器面包板波形。

問題:

  • 此VBE乘法器與簡單的二極管連接的晶體管相比,其電壓與電流之間的特性如何?

您可以在學子專區博客上找到問題答案。

作者簡介

Doug Mercer于1977年畢業于倫斯勒理工學院(RPI),獲電子工程學士學位。自1977年加入ADI公司以來,他直接或間接貢獻了30多款數據轉換器產品,并擁有13項專利。他于1995年被任命為ADI研究員。2009年,他從全職工作轉型,并繼續以名譽研究員身份擔任ADI顧問,為“主動學習計劃”撰稿。2016年,他被任命為RPI ECSE系的駐校工程師。聯系方式:doug.mercer@analog.com。

Antoniu Miclaus現為ADI公司的系統應用工程師,從事ADI教學項目工作,同時為Circuits from the Lab?、QA自動化和流程管理開發嵌入式軟件。他于2017年2月在羅馬尼亞克盧日-納波卡加盟ADI公司。他目前是貝碧思鮑耶大學軟件工程碩士項目的理學碩士生,擁有克盧日-納波卡科技大學電子與電信工程學士學位。

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