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    【全套國產芯片】亞成微65W高功率密度氮化鎵快充參考設計評測

    【全套國產芯片】亞成微65W高功率密度氮化鎵快充參考設計評測

    對亞成微 65W氮化鎵快充參考設計進行溫升測試,在溫度約為25℃的恒溫箱內以 功率持續輸出1小時,測得該方案正面最高溫度約為108℃,最高溫度點出現在變壓器附近。...

    2021-04-02 標簽:微控制器pcb氮化鎵USB PDtype-c 95

    GaN Charger推薦方案- HGN093N12S/SL高頻應用MOSFET

    GaN Charger推薦方案- HGN093N12S/SL高頻應用MOSFET

    選用本款HGN093N12S/SL產品, 可以讓客戶提高整機效率, 并且溫度也隨之下降, 效率提升之外, 整體表現與CP值都能有效提升。...

    2021-03-23 標簽:MOSFETMOS管氮化鎵GaN 860

    介紹極限參數-ID &amp; EAS依Hunteck 100V 5mΩ DFN5*6 MOSFET為例子

    介紹極限參數-ID &amp; EAS依Hunteck 100V 5mΩ DFN5*6 MOSFET為例子

    所有MOS規格書上面的ID是一個有明確邊界條件規定下的理論數值。因為在應用中可能會有各種各樣的散熱條件。...

    2021-03-23 標簽:三極管MOSFET 829

    新型車用650 V CoolSiC?混合分立器件助力快速開關車載充電器應用實現性能提升

    新型車用650 V CoolSiC?混合分立器件助力快速開關車載充電器應用實現性能提升

    深圳威邁斯新能源股份有限公司(威邁斯)是中國領先的車載充電器供應商,致力于開發汽車電力電子產品,為客戶帶來高度可靠的車載充電器和DC-DC變流器產品。...

    2021-03-18 標簽:英飛凌IGBT分立器件車載充電器 142

    賦能未來,勇往直前---科銳聯合創始人發表SiC MOSFET十周年文章

    賦能未來,勇往直前---科銳聯合創始人發表SiC MOSFET十周年文章

    在2011年,在經過了將近二十年的研發之后,科銳推出了全球首款SiC MOSFET。盡管業界先前曾十分懷疑這是否可能實現。...

    2021-03-17 標簽:MOSFETCreeSiC科銳 138

    高壓補償與低壓補償疑問?

    高壓補償與低壓補償疑問?

    容性無功功率,是表示電容設備與電源之間交換能量的快慢,容性電流,對發電機的主磁極起增磁的作用,會是發電機端電壓上漂而失去穩定,過量的容性無功電流是有害的;...

    2021-03-16 標簽:電容器功率因數無功功率 185

    無功補償電容的計算方法

    無功補償電容的計算方法

    1μF電容、額定電壓380v時,無功容量是Q=0.045Kvar 100μF電容、 額定電壓380v時,無功容量是Q=4.5Kvar? 1000μF電容、 額定電壓380v時,無功容量是Q=45Kvar...

    2021-03-16 標簽:電容無功補償無功功率 181

    電容補償在技術上應注意的問題

    電容補償在技術上應注意的問題

    防止系統諧波的影響。由于電容器回路是一個LC電路,對于某些諧波容易產生諧振,造成諧波放大,使電流增加和電壓升高。為此可采用串聯一定感抗值的電抗器以避免諧振,如以電抗器的百分...

    2021-03-16 標簽:電動機接觸器電容補償 145

    穩壓器的正確使用方法

    穩壓器的正確使用方法

    3KVA以下的穩壓器用保險絲作過載或短路保護,5KVA以上的交流穩壓器用小型斷路器或小型空氣開關作為過載或短路保 護,在穩壓器工作時,如保險絲熔斷或自動空氣斷路器跳閘,應關機檢查負載...

    2021-03-16 標簽:穩壓器電路板斷路器 226

    納微專家談:氮化鎵GaN HEMT有體二極管嗎?

    納微專家談:氮化鎵GaN HEMT有體二極管嗎?

    工程師于是感到非常困惑,GaN HEMT可以反向導通,那到底有還是沒有體二極管?...

    2021-03-15 標簽:二極管氮化鎵GaN 277

    通過Buck降壓調光驅動器的數字調光閃爍方案

    通過Buck降壓調光驅動器的數字調光閃爍方案

    為了驅動高側的MOSFET,線路中存在BOOT電容。在每次二極管導通過程中,芯片內部路徑會對BOOT電容充電。...

    2021-03-13 標簽:MOSFET驅動器Boot濾波電感 2093

    Nexperia與聯合汽車電子有限公司就氮化鎵領域達成深度合作

    Nexperia與聯合汽車電子有限公司就氮化鎵領域達成深度合作

    隨著汽車電氣化、5G通信、工業4.0市場的不斷增長,基于GaN的主流設計正漸入佳境,勢必推動2021年及未來功率半導體的需求增長。...

    2021-03-12 標簽:汽車電子氮化鎵Nexperia5G通信 1088

    氮化鎵功率晶體管價格降至1美元以下

    氮化鎵功率晶體管價格降至1美元以下

    GaN Systems其低電流,大批量氮化鎵晶體管的價格已跌至1美元以下。...

    2021-03-12 標簽:充電器飛利浦氮化鎵功率晶體管 535

    森國科推出多款快充PFC電路專用碳化硅二極管(SiC JBS)

    森國科推出多款快充PFC電路專用碳化硅二極管(SiC JBS)

    森國科針對大功率快充推出了兩款碳化硅二極管,賦能高功率密度快充產品。該兩款產品型號為:KS06065(650V/6A)、KS10065(650V/10A),KS06065提供TO-252-2、PDFN3*3、PDFN5*6、PDFN8*8共4種封裝。...

    2021-03-10 標簽:PFC碳化硅二極管 233

    森國科推出用于5G微基站電源的碳化硅二極管(SiC JBS)

    森國科推出用于5G微基站電源的碳化硅二極管(SiC JBS)

    微基站內部電源系統系統中對交流接觸器的選用、斷路器熔斷器及空氣開關的選用、保護電路的設計、交流電量檢測電路的設計、防雷及抗涌措施的選擇等要符合規范。...

    2021-03-10 標簽:視頻監控5G基站電源碳化硅二極管 211

    森國科:面對2021不確定性 設計公司應卯足勁做好高端替代和生態鏈建設【2020-2021專題。企業視角】

    森國科:面對2021不確定性 設計公司應卯足勁做好高端替代和生態鏈建設【202

    森國科董事長兼總經理楊承晉認為,對于2021年,估計不是最艱難而是更艱難的一年,疫情不會短時間過去,需求熱點來的快去的快,都會增加2021年的不確定性。...

    2021-03-10 標簽:晶圓代工功率器件智能汽車碳化硅 61

    英飛凌推出全新650V CoolSiC? Hybrid IGBT 單管,進一步提高效率

    英飛凌推出全新650V CoolSiC? Hybrid IGBT 單管,進一步提高效率

    由于 IGBT反并聯SiC 肖特基勢壘二極管,在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變下,CoolSiC? Hybrid IGBT能大幅降低開關損耗。...

    2021-02-23 標簽:英飛凌IGBT肖特基勢壘二極管 666

    Nexperia擴展LFPAK56D MOSFET產品系列,推出符合AEC-Q101標準的半橋封裝產品

    Nexperia擴展LFPAK56D MOSFET產品系列,推出符合AEC-Q101標準的半橋封裝產品

    節省空間的LFPAK56D半橋產品可以幫助動力系統、電機控制和DC/DC應用減少60%的寄生電感并改善散熱性能...

    2021-02-23 標簽:MOSFET晶圓DC-DC轉換器電機驅動器寄生電感 471

    e絡盟供貨KOA系列高品質無源元件

    e絡盟供貨KOA系列高品質無源元件

    耐脈沖抗浪涌電阻 – SG73系列是保護電子電路免受極端脈沖和浪涌的理想解決方案,特別是在I/O保護、緩沖和柵極驅動電路中。...

    2021-02-22 標簽:e絡盟無源元件KOA 474

    安森美半導體發布新的650V碳化硅 (SiC) MOSFET

    新一代SiC MOSFET采用新穎的有源單元設計,結合先進的薄晶圓技術,可在650 V擊穿電壓實現同類最佳的品質因數Rsp (Rdson * area)。...

    2021-02-19 標簽:MOSFET電磁干擾安森美半導體碳化硅車載充電器 591

    Vishay新款高溫NTC熱敏電阻適合應用于汽車快速、高精度溫度檢測

    Vishay新款高溫NTC熱敏電阻適合應用于汽車快速、高精度溫度檢測

    器件符合AEC-Q200標準,耐高溫達+185 °C,熱梯度小于0.01 K/K,空氣中響應時間為6秒。...

    2021-02-19 標簽:Vishayntc熱敏電阻 594

    納微半導體新一代氮化鎵功率芯片NV6128問世,全新額定電壓650V/800V的大功率

    納微半導體新一代氮化鎵功率芯片NV6128問世,全新額定電壓650V/800V的大功率

    在傳統硅充電器一半的體積和重量情況下,氮化鎵充電器的輸出功率和充電速度與前者相比均可提升三倍。...

    2021-02-19 標簽:氮化鎵硅芯片納微半導體 960

    Nexperia計劃提高全球產量并增加研發支出 滿足不斷增長的功率半導體需求

    通過新投資支持全球戰略,滿足不斷增長的功率半導體需求并提升GaN工藝技術; 基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布將在2021年度大幅增加制造能力和研發方面的全球投資。新投資與公司的發展...

    2021-02-11 標簽:半導體GaN功率半導體半導體器件Nexperia 1197

    東芝推出適用于工業設備的100V大電流光繼電器

    東芝推出適用于工業設備的100V大電流光繼電器

    TLP241B集成了基于東芝最新一代U-MOS工藝的MOSFET。使用TLP241B,斷態輸出端電壓提高到100V,較當前TLP241A的40V提高了150%。...

    2021-02-05 標簽:繼電器MOSFET東芝東芝電子可編程邏輯控制器 1060

    X-FAB推出最新一代雪崩光電二極管和單光子雪崩二極管器件

    X-FAB推出最新一代雪崩光電二極管和單光子雪崩二極管器件

    性能提升最明顯的領域之一是光子探測概率(PDP)。405nm波長入射光PDP數值為42%,而在近紅外(NIR)頻率上的改進幅度更進一步,高達150%;850nm波長PDP數值為5%。...

    2021-02-04 標簽:雪崩二極管光電二極管X-FAB 440

    怎么選擇BUCK降壓電源的電感?

    怎么選擇BUCK降壓電源的電感?

    原文來源 : 硬件工程師看海?? 歡迎關注公眾號:硬件工程師看海 當今的消費電子產品越來越趨向于小型化、集成化,功能也越來越多,對于續航的要求自然越來越嚴格,BUCK電源以其高效率的...

    2021-02-04 標簽:電源BUCK降壓電路電感DCR 225

    Vishay推出新型650V SiC肖特基二極管,提升高頻應用能效

    Vishay推出新型650V SiC肖特基二極管,提升高頻應用能效

    器件適用于服務器、電信設備、UPS和太陽能逆變器等應用領域的功率因數校正(PFC)續流、升降壓續流和LLC轉換器輸出整流,為設計人員實現系統優化提供高靈活性。...

    2021-01-28 標簽:UPSVishay肖特基二極管SiC碳化硅 338

    全球領先!納微半導體氮化鎵芯片出貨量超1300萬顆

    全球領先!納微半導體氮化鎵芯片出貨量超1300萬顆

    納微半導體今日正式宣布,其出貨量創下最新紀錄,已向市場成功交付超過1300萬顆氮化鎵(GaN)功率IC實現產品零故障。...

    2021-01-27 標簽:氮化鎵功率IC納微半導體 791

    Vishay推出適用于強調高可靠應用領域的新型含鉛(Pb)端接涂層SMD MLCC

    Vishay推出適用于強調高可靠應用領域的新型含鉛(Pb)端接涂層SMD MLCC

    Vishay Vitramon VJ.。..32含鉛涂層系列端接涂層最小含鉛(Pb)量為4 %。此前,含鉛(Pb)端接涂層專門用于昂貴的高可靠性器件。...

    2021-01-27 標簽:VishaySMDMLCC 325

    氮矽科技預計年底推出首款分離式高速氮化鎵柵極驅動芯片的快充產品

    氮矽科技預計年底推出首款分離式高速氮化鎵柵極驅動芯片的快充產品

    氮化鎵作為替代硅用于芯片制造的新興材料,目前已經在快充市場呈現規?;瘧?。...

    2021-01-15 標簽:芯片制造氮化鎵柵極驅動PD快充 319

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