功率器件
GaN Charger推薦方案- HGN093N12S/SL高頻應用MOSFET
選用本款HGN093N12S/SL產品, 可以讓客戶提高整機效率, 并且溫度也隨之下降, 效率提升之外, 整體表現與CP值都能有效提升。...
介紹極限參數-ID & EAS依Hunteck 100V 5mΩ DFN5*6 MOSFET為例子
所有MOS規格書上面的ID是一個有明確邊界條件規定下的理論數值。因為在應用中可能會有各種各樣的散熱條件。...
新型車用650 V CoolSiC?混合分立器件助力快速開關車載充電器應用實現性能提升
深圳威邁斯新能源股份有限公司(威邁斯)是中國領先的車載充電器供應商,致力于開發汽車電力電子產品,為客戶帶來高度可靠的車載充電器和DC-DC變流器產品。...
賦能未來,勇往直前---科銳聯合創始人發表SiC MOSFET十周年文章
在2011年,在經過了將近二十年的研發之后,科銳推出了全球首款SiC MOSFET。盡管業界先前曾十分懷疑這是否可能實現。...
高壓補償與低壓補償疑問?
容性無功功率,是表示電容設備與電源之間交換能量的快慢,容性電流,對發電機的主磁極起增磁的作用,會是發電機端電壓上漂而失去穩定,過量的容性無功電流是有害的;...
無功補償電容的計算方法
1μF電容、額定電壓380v時,無功容量是Q=0.045Kvar 100μF電容、 額定電壓380v時,無功容量是Q=4.5Kvar? 1000μF電容、 額定電壓380v時,無功容量是Q=45Kvar...
電容補償在技術上應注意的問題
防止系統諧波的影響。由于電容器回路是一個LC電路,對于某些諧波容易產生諧振,造成諧波放大,使電流增加和電壓升高。為此可采用串聯一定感抗值的電抗器以避免諧振,如以電抗器的百分...
穩壓器的正確使用方法
3KVA以下的穩壓器用保險絲作過載或短路保護,5KVA以上的交流穩壓器用小型斷路器或小型空氣開關作為過載或短路保 護,在穩壓器工作時,如保險絲熔斷或自動空氣斷路器跳閘,應關機檢查負載...
通過Buck降壓調光驅動器的數字調光閃爍方案
為了驅動高側的MOSFET,線路中存在BOOT電容。在每次二極管導通過程中,芯片內部路徑會對BOOT電容充電。...
Nexperia與聯合汽車電子有限公司就氮化鎵領域達成深度合作
隨著汽車電氣化、5G通信、工業4.0市場的不斷增長,基于GaN的主流設計正漸入佳境,勢必推動2021年及未來功率半導體的需求增長。...
森國科推出多款快充PFC電路專用碳化硅二極管(SiC JBS)
森國科針對大功率快充推出了兩款碳化硅二極管,賦能高功率密度快充產品。該兩款產品型號為:KS06065(650V/6A)、KS10065(650V/10A),KS06065提供TO-252-2、PDFN3*3、PDFN5*6、PDFN8*8共4種封裝。...
森國科推出用于5G微基站電源的碳化硅二極管(SiC JBS)
微基站內部電源系統系統中對交流接觸器的選用、斷路器熔斷器及空氣開關的選用、保護電路的設計、交流電量檢測電路的設計、防雷及抗涌措施的選擇等要符合規范。...
森國科:面對2021不確定性 設計公司應卯足勁做好高端替代和生態鏈建設【202
森國科董事長兼總經理楊承晉認為,對于2021年,估計不是最艱難而是更艱難的一年,疫情不會短時間過去,需求熱點來的快去的快,都會增加2021年的不確定性。...
英飛凌推出全新650V CoolSiC? Hybrid IGBT 單管,進一步提高效率
由于 IGBT反并聯SiC 肖特基勢壘二極管,在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變下,CoolSiC? Hybrid IGBT能大幅降低開關損耗。...
e絡盟供貨KOA系列高品質無源元件
耐脈沖抗浪涌電阻 – SG73系列是保護電子電路免受極端脈沖和浪涌的理想解決方案,特別是在I/O保護、緩沖和柵極驅動電路中。...
Vishay新款高溫NTC熱敏電阻適合應用于汽車快速、高精度溫度檢測
器件符合AEC-Q200標準,耐高溫達+185 °C,熱梯度小于0.01 K/K,空氣中響應時間為6秒。...
納微半導體新一代氮化鎵功率芯片NV6128問世,全新額定電壓650V/800V的大功率
在傳統硅充電器一半的體積和重量情況下,氮化鎵充電器的輸出功率和充電速度與前者相比均可提升三倍。...
X-FAB推出最新一代雪崩光電二極管和單光子雪崩二極管器件
性能提升最明顯的領域之一是光子探測概率(PDP)。405nm波長入射光PDP數值為42%,而在近紅外(NIR)頻率上的改進幅度更進一步,高達150%;850nm波長PDP數值為5%。...
全球領先!納微半導體氮化鎵芯片出貨量超1300萬顆
納微半導體今日正式宣布,其出貨量創下最新紀錄,已向市場成功交付超過1300萬顆氮化鎵(GaN)功率IC實現產品零故障。...
Vishay推出適用于強調高可靠應用領域的新型含鉛(Pb)端接涂層SMD MLCC
Vishay Vitramon VJ.。..32含鉛涂層系列端接涂層最小含鉛(Pb)量為4 %。此前,含鉛(Pb)端接涂層專門用于昂貴的高可靠性器件。...
氮矽科技預計年底推出首款分離式高速氮化鎵柵極驅動芯片的快充產品
氮化鎵作為替代硅用于芯片制造的新興材料,目前已經在快充市場呈現規?;瘧?。...
編輯推薦廠商產品技術軟件/工具OS/語言
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5G | m2m | 無人駕駛 | 神經網絡 | 亞馬遜 | 深度學習 | 比特幣 | 機器視覺 |
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